關於(yú)氮化鋁陶瓷的應用和特性
所屬分類:資訊動態 點擊次數:801 發布日期:2021-12-09
氮化鋁作為一種理想的半導(dǎo)體基片材料和電子器件封裝材(cái)料,不僅導熱性能(néng)好,線膨脹係數與矽接近,體積電阻率高,介電(diàn)常數和介電損耗小,而且無毒,耐高溫和(hé)腐蝕,力學性能良(liáng)好,綜合性能遠優於Al2O3和BeO。
氮化(huà)鋁陶瓷具有優良的熱、電、力學性能,所(suǒ)以它(tā)的應用範圍比較廣。可(kě)以製(zhì)成氮化鋁陶瓷基片,熱(rè)導率高,膨脹係數(shù)低,強度高,耐(nài)高溫,耐化學(xué)腐蝕,電阻率高,介電耗損小,是理想的大規模集成電(diàn)路散熱基板和封裝材料。
氮化(huà)鋁陶瓷硬度高,超過氧化鋁陶瓷,也可用於磨損嚴重(chóng)的部位(wèi)。利用氮化(huà)鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,可製作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發電裝置(zhì)及高溫透平機耐蝕部(bù)件(jiàn),利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁(lǚ)薄膜可製成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。
氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕,對酸穩(wěn)定,但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表麵暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧(yǎng)化膜。利用此特性,可用作鋁、銅(tóng)、銀、鉛等(děng)金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。氮化鋁陶瓷的金屬化性能較好,可(kě)替代有毒性(xìng)的氧化鈹瓷在電子工業中廣泛應用。
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